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电子元器件详细资料 » IC[28106] » SI7846DP-T1-GE3
型号:SI7846DP-T1-GE3类别:FET - 单制造商:Vishay Siliconix
封装:PowerPAK? SO-8描述:MOSFET N-CH D-S 150V PPAK 8SOIC

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH D-S 150V PPAK 8SOIC
系列TrenchFET®
制造商Vishay Siliconix
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)150V
电流_连续漏极(Id)0a025000C4A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C50 毫欧 @ 5A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224.5V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs36nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds-
功率_最大1.9W
安装类型表面贴装
封装/外壳PowerPAK? SO-8
供应商设备封装PowerPAK? SO-8
包装带卷 (TR)

供应商

瀚佳科技(深圳)有限公司李0755-23915992/23140719
深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳市旺财半导体有限公司李先生86-83209217
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SI7846DP-T1-GE3相关型号

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